手机处理器介绍

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手机处理器

参考: HiSilicon

Exynos (system on chip)

List of Qualcomm Snapdragon systems-on-chip

List of MediaTek systems-on-chip

目前实力最强的是高通,其次是联发科、华为、三星等。

一、处理器架构

v7-A:A5、A7、A9、A15

v8.0-A:A35、A53、A57(骁龙)、A72、A73

v8.2-A:A55、A75、A76、A77

A72基于A57来优化,A72和A57并没有本质的不同,一级二级的缓存容量相同,只是做了一些微调

ARM V8-A架构比较

二、处理器制程

现在手机厂商给大家一个信号“只要手机的处理器工艺制程越小,手机的性能就越突出,功耗就越低“。事实上并非如此,这里还看CPU以及GPU,包括全部的设计,能否让手机的芯片的功耗真的保持在这种优势下。

苹果的A14,华为的麒麟9000系列,骁龙875,均是采用5nm工艺。与手机芯片不同的是,intel的芯片才进入10nm时代,甚至还在14nm工艺。任何一款芯片,主要考虑的是性能、功耗、散热。手机芯片追求的是面积、性能、功耗、散热的平衡,即在性能一定的程度下,功耗要低,发热也要低,体积也要小。

制造工艺的提升,降低芯片的面积,同时降低功耗、减少发热,提升性能。

同样的性能下,工艺提升后,面积变小,功耗变低,发热减少。但是,如果性能提升了,制程降低,功率不一定会降低。

三、联发科v8处理器

四核处理器(A53):MT6732、6735、6737、6738、6739,采用28nm HPM工艺。其中T为升频,M为降频

8核处理器(A53):MT6750、6753(4+4)、6752,采用28nm HPM工艺

Helio P系列(A53):P10、P15、P18,采用28nm HPC工艺

Helio X系列:X20、X23、X25、X27,采用20nm工艺

Helio A系列(A53):A20、A22、A25,采用12nm FFC工艺

Helio P系列:P20、P23、P25、P30,采用16nm FF+工艺

Helio P系列:P22、P35、P60、P65、P70、P90,采用12nm工艺

Helio G系列:G25、G35、G70、G80、G85、G90,采用12nm工艺

MT6735/6735M(2015),28nm HPM,四核A53,1.3/1.0GHz,Mali-T720 MP2 600/400MHz,32位单通道LPDDR3-640(3GB),LTE Cat.4

MT6753(2015),28nm,八核A53,1.3+1.5GHz,Mali-T720 MP3 700MHz,32位单通道LPDDR3-667(3GB),LTE Cat4

X10(2014),28nm,八核A53,2.0GHz,PowerVR G6200 700MHz,单通道LPDDR3-933,LTE Cat.4

低端处理器

MT6737(2016),28nm HPM,四核A53,1.3GHz,Mali-T720 MP2 650MHz,32位单通道LPDDR3-640(3GB),LTE Cat.4,VOLTE

MT6739(2017),28nm HPM,四核A53,1.5GHz,PowerVR GE8100 570MHz,32位单通道LPDDR3-667(3GB),LTE Cat.4/5

MT6750(2016),28nm,八核A53,1.0+1.5GHz,Mali-T860 MP2 400MHz,32位单通道LPDDR3-667(4GB),LTE Cat.6,双载波聚合/VoLTE

Helio P10(2015),28nm HPC+,八核A53,1.2/2GHz,Mali-T860 MP2 700MHz,32位单通道LPDDR3-933,LTE Cat.6

G25(2020),12nm,8核A53,2.0GHz,PowerVR GE8320 650MHz,LPDDR3-933/LPDDR4X-1600,LTE Cat.7

G35(2020),12nm,8核A53,2.3GHz,PowerVR GE8320 680MHz,LPDDR3-933/LPDDR4X-1600,LTE Cat.7

A20(2020),12nm,四核A53,1.8GHz,PowerVR GE8300,LPDDR3-800或LPDDR4-1200,LTE Cat6

A22(2018),12nm,四核A53,2.0GHz,PowerVR GE8300,64位LPDDR3-933(4GB)或LPDDR4X-1600(6GB),LTE Cat7

A25(2020),12nm,八核A53,1.5+1.8GHz,PowerVR GE8320,64位LPDDR3-933或LPDDR4X-1600(4GB),LTE Cat4

MT6762/P22(2018),12nm,八核A53,2.0GHz,PowerVR GE8320 650MHz,单通道LPDDR3-933(4GB)或双通道LPDDR4X-1600(6GB),LTE Cat.7

P23(2017),16nm,八核A53,2.3+1.65GHz,Mali-G71MP2 770MHz,2*16位LPDDR4X-1600,LTE Cat.6

P30(2017),16nm,八核A53,2.3+1.65GHz,Mali-G71MP2 950MHz,双通道LPDDR4X-1600,LTE Cat.6/7

MT6765/P35(2018),12nm,八核A53,2.3GHz,PowerVR GE8320 680MHz,单通道LPDDR3-933或双通道LPDDR4X-1600,LTE Cat.7

中端处理器

P70(2018),12nm,四核A73+四核A53,2.1+2.0GHz,Mali-G72MP3 900MHz,双通道LPDDR4X-1800,LTE Cat.7

G70,12nm,双核A75+六核A55,2.0+1.7GHz,Mali-G52 MC2 820MHz,LPDDR4X-1800,LTE Cat.7/13

G80,12nm,双核A75+六核A55,2.0+1.8GHz,Mali-G52 MC2 950MHz,双通道LPDDR4X-1800,LTE Cat.7/13

G85,12nm,双核A75+六核A55,2.0+1.8GHz,Mali-G52 MC2 1GHz,双通道LPDDR4X-1800,LTE Cat.7/13

高端处理器

Helio X30,10nm FF+,双核A73+四核A53+四核A35,2.6+2.2+1.9GHz,PowerVR GT7400 Plus 800MHz,4*16位LPDDR4X-1866,LTE Cat.10/13

四、骁龙处理器

骁龙处理器产品分为:800、600、400、200系列,其中800系列作为高端芯片,而600系列面向中高端市场,骁龙400定位于低端市场。

骁龙400:MSM8226(3G版)/8626(CDMA版)/8926(4G版)、8228/8628/8938、8230/8630/8930。28nm LP

低端处理器

QM215,28nm,4核1.3GHz A53,Adreno 308,32位LPDDR3-672,Cat4

骁龙410(2014),28nm LP,四核1.2GHz A53,Adreno 306,32位LPDDR2/3-533,LTE Cat.4

骁龙425(2016),28nmLP,四核1.4GHz A53,单通道LPDDR3-667,LTE cat4/5

骁龙427,28nmLP,四核1.4GHz A53,LPDDR3-667,LTE cat7/13

骁龙429(2018),12nm,四核1.95GHz A53,LPDDR3,LTE cat4

骁龙430,28nmLP,八核1.4GHz A53,LPDDR3-800,LTE cat4/5

骁龙435,28nmLP,八核1.4GHz A53,LPDDR3-800,LTE cat7/13

骁龙439,12nm FinFET,四核A53+四核A53,1.95+1.45GHz,Adreno 505,LPDDR3,LTE cat4

骁龙450,14nm,八核A53,1.8GHz,单通道LPDDR3-933,LTE cat7/13

骁龙610(2014),28nm LP,四核A53,1.7GHz,Adreno 405,单通道LPDDR3-800,LTE Cat.4

骁龙615,28nmLP,八核A53,1.7+1.0GHz

骁龙616,28nm LP,四核A53+四核A53,1.7+1.2GHz,Cat4,同上

骁龙617(2015),28nm LP,八核A53,1.5+1.2GHz,Adreno 405,单通道LPDDR3-933,LTE Cat.7

骁龙625,14nm LPP,八核A53,2.0GHz,Adreno 506,单通道LPDDR3-933,LTE Cat.7/13

中端

骁龙460(2020),11nm,八核Kryo 240(A73+A53),1.8GHz,LPDDR4X-1866或LPDDR3-933,LTE Cat13

骁龙632,14nm LPP,四核Kryo 250 Gold+四核Kryo 250 Silver(A73+A53),1.8+1.8GHz,Adreno 506,LPDDR3,LTE Cat7/13

骁龙808,20nm HPM,双核A57+四核A53,2.0+1.44GHz,Adreno 418 600MHz,双通道LPDDR3-800,LTE Cat.9

骁龙810,20nm HPM,四核A57+四核A53,2.0+1.55GHz,Adreno 430 650MHz,双通道LPDDR4-1600,LTE Cat.9

高端

骁龙630,14nm,4+4核,A53,2.2+1.8GHz,双通道LPDDR4-1333,LTE Cat.12/13

骁龙636,14nm LPP,八核Kryo 260,1.8+1.6GHz,Adreno 509,双通道LPDDR4-1333,LTE Cat.12/13

骁龙660,14nm LPP,四核Kryo 260+四核Kryo 260,2.2+1.8GHz,Adreno 512,双通道LPDDR4-1866,LTE Cat.12/13

骁龙650,28nm,2+4核,A72+A53,2*32位LPDDR3-933,Cat7

骁龙662,11nm LPP,四核Kryo 260(A73)+四核Kryo 260(A53),2.0+1.8GHz,Adreno 610,双通道LPDDR4X-1866,Cat13

骁龙665,11nm LPP,LTE Cat.12/13

骁龙670,10nm LPP,2+6核,2.0+1.7GHz,DDR4X-1866,LTE Cat.12

骁龙675,11nm LPP,双核Kryo 460 Gold+六核Kryo 460 Silver,2.0+1.7GHz,Adreno 612,双通道LPDDR4X-1866,LTE Cat.12/13

骁龙710(2018),10nm,四核Kryo 360 Gold(A75) +四核Kryo Silver 360(A55),2*16位LPDDR4X-1866,Cat15

骁龙820 Lite(2016),14nm FinFET,双核Kryo+双核Kryo,1.8+1.36GHz,Adreno 530 510MHz,4*16位LPDDR4-1333,LTE Cat.12/13

骁龙835,10nm,四核+四核Kryo 280,2.45+1.9GHz,2*32位LPDDR4X-1866,Cat16

五、海思处理器(DynamIQ)

低端处理器

麒麟620(2014),28nm,A53四核,1.2GHz,32位LPDDR3-800,LTE Cat.4

麒麟650(2016),16nm FF+,四核A53+四核A53,2.0+1.7GHz,Mali-T830 MP2,2*32位LPDDR3-933,LTE Cat.6

麒麟655,16nm FF+,四核A53+四核A53,2.12+1.7GHz,Mali-T830 MP2,64位双通道LPDDR3,LTE Cat.6

麒麟658(2017),16nm FF+,四核A53+四核A53,2.36+1.7GHz,Mali-T830 MP2,64位双通道LPDDR3,LTE Cat.6

麒麟659,16nm FF+,四核A53+四核A53,2.36+1.7GHz,Mali-T830 MP2,64位双通道LPDDR3-933,LTE Cat.6

麒麟930(2015),28nm HPC,四核A53+四核A53,2.0+1.5GHz,Mali-T628 MP4,64位双通道LPDDR3-800,LTE Cat.6

麒麟935,28nm HPC,八核A53,2.2+1.5GHz,Mali-T628 MP4,64位双通道LPDDR3-800,LTE Cat.6

中端

麒麟950(2015),16nm FF+,四核A72+四核A53,2.3+1.8GHz,Mali-T880 MP4 900MHz,2*32位LPDDR4,LTE Cat.6

麒麟955(2016),16nm FF+,四核A72+四核A53,2.5+1.8GHz,Mali-T880 MP4 900MHz,2*32位LPDDR4,LTE Cat.6

高端

麒麟710,12nm FinFET ,四核A73+四核A53,2.2+1.7GHz,Mali-G51 MP4 1000MHz,64位双通道LPDDR3,LTE Cat.12

麒麟810,7nm,双核A76+六核A55,2.27+1.88GHz,Mali-G52 MP6 820MHz,16*4 LPDDR4x-2133,LTE Cat.12

麒麟960,16nm FF+,四核A73+四核A53,2.4+1.8GHz,Mali-G71 MP8,64位双通道LPDDR4-1600,LTE Cat.12/13

麒麟970,10nm,四核A73+四核A53,2.4+1.8GHz,Mali-G72 MP12,四通道LPDDR4X-1833,LTE Cat.18 1.2Gbps

麒麟980,7nm,双核A76改+双核A76改+四核A55,2.6+1.92+1.8GHz,Mali-G76 MP10 720MHz,四通道LPDDR4X-2133,LTE Cat.21 1.4Gbps

麒麟990,7nm,双核A76改+双核A76改+四核A55,2.86+2.09+1.86GHz,Mali-G76 MP16 600MHz,四通道LPDDR4X-2133,巴龙765 4G

六、三星

Exynos 7570(2016),14nm LPC,四核A53,1.4GHz,Mali-T720 MP1-830MHz,LTE Cat.4

Exynos 7580,20nm HKMG,八核A53,1.6GHz,Mali-T720 MP2 668MHz,64位双通道LPDDR3-933,LTE Cat.6

Exynos 7870(2016),14nm LPP,八核A53,1.6GHz,Mali-T830 MP1-700MHz,32位LPDDR3-933,LTE Cat.6

Exynos 7872,14nm,2.0 GHz A73*2 + 1.6 GHz A53*4,32位LPDDR3-933,Cat7

THE END
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